Numerische Simulation des Rauschverhaltens eines Si/SiGe-Heterobipolartransistors basierend auf der Hierarchischen Numerischen Bauelementsimulation

Bartels, M.; Neinhüs, Burkhard; Jungemann, Christoph; Decker, S.; Meinerzhagen, Bernd

Berlin [u.a.] : VDE-Verl. (2002)
Contribution to a book, Contribution to a conference proceedings

In: ANALOG 2002 : Entwicklung von Analogschaltungen mit CAE-Methoden mit dem Schwerpunkt HF-Schaltungsentwurf - Konzepte, Modellierung, Simulation und Realisierung ; Vorträge der 6. GMM/ITG-Diskussionssitzung vom 13. bis 14. Mai 2002 in Bremen / Veranst.: VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik, Mikro- und Feinwerktechnik (GMM) in Zusammenarbeit mit der Informationstechnischen Gesellschaft im VDE (ITG). Wiss. Tagungsleitung: W. Anheier ...
Page(s)/Article-Nr.: 47-52

Institutions

  • Chair and Institute of Theoretical Electrical Engineering [611410]

Identifier